安徽網 大皖客戶端訊 記者從蕪湖市相關部門獲悉，作為蕪湖大院大所合作的重點項目，國產化5G通信芯片用氮化鎵材料日前在西電蕪湖研究院試制成功，這標志著今后國內各大芯片企業生產5G通信芯片，有望用上國產材料。
據介紹，氮化鎵半導體材料具有寬帶隙、高擊穿場強、高熱導率、低介電常數、高電子飽和漂移速度、強抗輻射能力和良好化學穩定性等優越物理化學性質。成為繼第一代半導體硅、第二代半導體砷化鎵之后制備新一代微電子器件和電路的關鍵材料，特別適合于高頻率、大功率、高溫和抗輻照電子器件與電路的研制。
據了解，研究院目前已經掌握了氮化鎵材料的生產和5G通信芯片的核心設計與制造能力。下一步將盡快將這項技術商用，力爭早日推向市場。安徽網 大皖客戶端記者 孫芮
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